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10.9】题目:First-principles Band Structure Engineering and Defect Control in Semiconductors
报告人:魏苏淮 教授
 
2021-09-30 | 文章来源:材料设计与计算研究部        【 】【打印】【关闭

报告题目:First-principles Band Structure Engineering and Defect Control in Semiconductors

报告人:魏苏淮 教授(北京计算科学研究中心)

报告时间:2021年10月9日(周六),上午9:30-11:30

报告地点:师昌绪楼403会议室

First-principles Band Structure Engineering and Defect Control in Semiconductors
Su-Huai Wei

Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100193, China

First-principles study of semiconductor materials plays an important role in developing clean energy and information technologies because it can provide useful physical insights, fresh perspective and new design principles for developing innovative semiconductor materials with high performance. One of the most important issues in studying semiconductor material is to accurately calculate its band structure, predict its defect properties, and continuously tune its material properties, e.g., through alloying. In this talk,I will discuss how the development of theoretical first-principles calculation methods can be used to better understand and improve the performance of semiconductor materials.

 

魏苏淮简介:

  魏苏淮教授现任北京计算科学研究中心讲席教授、材料与能源研究部主任,国家特聘专家,国家重点专项首席科学家,国家基金委重大项目负责人,美国物理学会会士(APS Fellow),美国材料学会会士(MRS Fellow)。1981年本科毕业于复旦大学,1985年在美国威廉玛丽学院取得理学博士学位,1985年-2015年,在美国可再生能源国家实验室(NREL)历任博士后、科学家、资深科学家、首席科学家、理论研究室主任,实验室Fellow。在半导体能带理论、缺陷与合金物理、能源与光电材料设计、计算方法等方面取得了系统的原创性成果。已发表SCI论文520余篇,包括72篇PRL。论文引用60000多次,H因子123。

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